标准概要

制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

国家标准《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。主要起草人刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉。 GB/T 36646-2018 现行

基础信息

标准号 GB/T 36646-2018

发布日期 2018-09-17

实施日期 2019-01-01

标准号 GB/T 36646-2018

发布日期 2018-09-17

实施日期 2019-01-01

起草单位

东莞市中镓半导体科技有限公司

中国电子技术标准化研究院

起草人

刘鹏

孙永健

王健辉

丁晓民

冯亚彬

推荐标准

申明

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